特許
J-GLOBAL ID：200903072359165540
電界効果トランジスタ及びその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
志賀 富士弥 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-268343
公開番号（公開出願番号）：特開平6-120251
出願日： 1992年10月07日
公開日（公表日）： 1994年04月28日
要約：
【要約】【目的】 ゲート電極の機械的保護機能が高く、寄生容量の増加を抑制した電界効果トランジスタを提供する。【構成】 半導体層11上のソースオーミック電極14上に形成したソースパッド16のゲート側端部を延在させてオーバーハング部16Aを形成し、T字型ゲート13を空間を介して覆うようにしたことにより、オーバーハング部16AがT字型ゲート13を保護するようにした。また、T字型ゲート周囲の空間を保持して寄生容量の増加を抑制できる。
請求項（抜粋）：
ゲート電極を挟んでソース及びドレインとなるオーミック電極を有し、該オーミック電極上に夫々パッドメタルを有する電界効果トランジスタにおいて、前記パッドメタルの一方の、前記ゲート電極に面する端部を延在させて該ゲート電極の上方を空間を介して覆うことを特徴とする電界効果トランジスタ。
IPC (2件)：
H01L 21/338
, H01L 29/812
