特許
J-GLOBAL ID:200903072360503344

半導体検出器

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 西教 圭一郎 (外2名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平4-339175
公開番号(公開出願番号):特開平6-186344
出願日: 1992年12月18日
公開日(公表日): 1994年07月08日
要約:
【要約】【目的】 装置全体の大型化や部品点数の増加、保守作業の繁雑化を招くことなく、試料から放出される蛍光X線の検出立体角を大きく形成することが可能な半導体検出器を提供する。【構成】 X線を検出する4個の半導体素子20a〜20dと、各半導体素子20a〜20dを保持し、かつ熱的に一体化した環状の保持部材11と、保持部材11を冷却するための冷却媒体15を保持する内容器13および伝熱部材12と、これらを外界から断熱するための真空層を形成する外容器14と、励起X線または励起粒子線が通過するための励起窓16と、試料から放たれる蛍光X線が各半導体素子20a〜20dに到達するための4個のX線透過窓10a〜10dなどから構成されている。
請求項(抜粋):
X線を検出して電気信号に変換する複数の半導体素子と、各半導体素子を保持し、かつ熱的に一体化した保持部材と、前記保持部材を冷却するための単一の冷却手段と、前記半導体素子、前記保持部材および前記冷却手段を外界から断熱するための真空容器と、試料を励起する励起X線または励起粒子線が通過するための励起窓と、試料から放出された蛍光X線が各半導体素子に到達するため、前記真空容器に設けられるX線透過窓とを備え、各半導体素子の検出面の中心線延長上に、蛍光X線の発生源が位置するように各半導体素子が配設されることを特徴とする半導体検出器。
IPC (2件):
G01T 1/24 ,  G01N 23/223
引用特許:
審査官引用 (1件)
  • 特開平1-316683

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