特許

J-GLOBAL ID：200903072362110200

薄膜形成方法

発明者： 門馬 由香 ,  鈴木 浩二
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 小池 晃 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-258096
公開番号（公開出願番号）：特開2001-084509
出願日： 1999年09月10日
公開日（公表日）： 2001年03月30日
要約：

【要約】【課題】 基板に凹部が形成されている場合でも、リフトオフ法で均一に金属薄膜を形成する。【解決手段】 基板21に形成されたサイド溝32内に第1のレジスト層33を形成してレジスト材料を充填し基板21を平坦化する。その後、平坦化された基板21上に第2のレジスト層34を形成し、露光、現像により逆テーパ形状のレジストパターンを形成し、金属薄膜37を形成する。そして、レジストパターン及びサイド溝37内のレジスト材料を溶解除去し、レジストパターン上の金属薄膜37を除去して、所定のパターンを有する金属薄膜37が形成される。

請求項（抜粋）：

凹部が形成された基板の一方主面にリフトオフ法により所定のパターンを有する金属薄膜を形成する薄膜形成方法において、上記基板の凹部内にレジスト材料を充填して基板を平坦化する工程と、平坦化された基板上にレジスト層を形成し、露光、現像により逆テーパ形状のレジストパターンを形成する工程と、金属薄膜を形成する工程と、上記レジストパターン及び凹部内のレジスト材料を溶解除去し、レジストパターン上の金属薄膜を除去する工程とを有することを特徴とする薄膜形成方法。

IPC (3件)：

G11B 5/23 ,  G11B 5/127 ,  G11B 5/17

FI (3件)：

G11B 5/23 D ,  G11B 5/127 D ,  G11B 5/17 W

Fターム (27件)：

5D093AA01 ,  5D093BB05 ,  5D093BB18 ,  5D093BD01 ,  5D093BD08 ,  5D093CA02 ,  5D093EA02 ,  5D093FA17 ,  5D093FA21 ,  5D093HA16 ,  5D093HB25 ,  5D093HC03 ,  5D093JA01 ,  5D111AA22 ,  5D111BB18 ,  5D111BB48 ,  5D111CC22 ,  5D111CC47 ,  5D111FF02 ,  5D111FF04 ,  5D111GG03 ,  5D111HH16 ,  5D111JJ07 ,  5D111JJ12 ,  5D111JJ13 ,  5D111KK01 ,  5D111KK02