特許
J-GLOBAL ID：200903072363696801
半導体レーザとその製法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
松隈 秀盛
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-231864
公開番号（公開出願番号）：特開平6-196813
出願日： 1993年09月17日
公開日（公表日）： 1994年07月15日
要約：
【要約】【目的】 半導体レーザへの戻り光による反射光を減少させる。【構成】 半導体基体1上に、レーザダイオード部2が形成されて成る半導体レーザにおいて、少なくともそのレーザビーム出射端直下の前方面をレーザビーム出射端から後退させる。
請求項（抜粋）：
半導体基体上にレーザダイオード部が形成されて成り、少なくともそのレーザビーム出射端直下の上記半導体基体の前方面を、上記レーザビーム出射端の面から後退させて成ることを特徴とする半導体レーザ。
IPC (2件)：
引用特許：
審査官引用 (2件)
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特開昭61-128587
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特開昭61-121486
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