特許
J-GLOBAL ID：200903072363850100
シリコンのエッチング方法
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-208558
公開番号（公開出願番号）：特開平10-053882
出願日： 1996年08月07日
公開日（公表日）： 1998年02月24日
要約：
【要約】【課題】高純度な硝酸を用いたシリコンのエッチングを簡易且つ迅速に行う方法を開発すること。【解決手段】還元剤を含有する硝酸浴中で一酸化窒素または二酸化窒素を生成させ、一酸化窒素は酸化させて、該硝酸浴から二酸化窒素ガスを生じせしめ、この二酸化窒素ガスとフッ化水素ガス、好適には上記硝酸浴に溶存したものが気化して生じたフッ化水素ガスとを混合させた後、得られた二酸化窒素・フッ化水素混合ガスまたはその水溶液中でシリコンにエッチングを施すことを特徴とするシリコンのエッチング方法。
請求項（抜粋）：
還元剤を含有する硝酸浴中で一酸化窒素または二酸化窒素を生成させ、一酸化窒素は酸化させて、該硝酸浴から二酸化窒素ガスを生じせしめ、この二酸化窒素ガスとフッ化水素ガスとを混合させた後、得られた二酸化窒素・フッ化水素混合ガスまたはその水溶液中でシリコンにエッチングを施すことを特徴とするシリコンのエッチング方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
C23F 1/24
, H01L 21/306 B
