特許

J-GLOBAL ID：200903072368825502

横型半導体デバイスおよびその製造方法

発明者： ヤン ソンスキー
出願人/特許権者： エヌエックスピー ビー ヴィ
代理人 (5件)： 杉村 憲司 ,  杉村 興作 ,  来間 清志 ,  藤谷 史朗 ,  澤田 達也
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-553772
公開番号（公開出願番号）：特表2008-530776
出願日： 2006年02月06日
公開日（公表日）： 2008年08月07日
要約：

本発明は、主頂面2aおよび主底面2bを有し、第一導電型のドレインドリフト領域6aを含む半導体本体2を具える横型半導体デバイスの製造方法に関するものである。本方法は、半導体本体2内に、主頂面2aから延在し、底部および側壁部を有する1本の第一垂直溝20を形成する第一の工程と、完成したデバイスにおいて前記第一垂直溝20の側壁部から延在する前記ドレインドリフト領域6a内に延在する、少なくとも1本の水平溝16を形成する第二の工程と、前記少なくとも1本の水平溝16内に延在するRESURF誘導構造22を形成する第三の工程とを含む。この方法では、垂直に分離された横型RESURF誘導構造が、RESURF構造の形成に関して知られた技術に関連する問題に直面することなく形成される。

請求項（抜粋）：

主頂面および主底面を有し、第一の導電型のドレインドリフト領域を含む半導体本体を具える横型半導体デバイスの製造方法であって、該方法は、 前記半導体本体内に、その主頂面から延在し、一の底部および両側壁部を有する、1本の第一垂直溝を形成する第一の工程と、 前記ドレインドリフト領域内に延在し、完成したデバイス内で、前記第一垂直溝の一の側壁部から延びる、少なくとも1本の水平溝を形成する第二の工程と、 前記少なくとも1本の水平溝内に延在するRESURF誘導構造を形成する第三の工程と を含む横型半導体デバイスの製造方法。

IPC (3件)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/78

FI (7件)：

H01L29/78 616V ,  H01L29/78 626Z ,  H01L29/78 616T ,  H01L29/78 616L ,  H01L29/78 301D ,  H01L29/78 301V ,  H01L29/78 301S

Fターム (35件)：

5F110AA11 ,  5F110BB12 ,  5F110CC02 ,  5F110DD05 ,  5F110DD13 ,  5F110EE09 ,  5F110GG02 ,  5F110GG12 ,  5F110GG22 ,  5F110HM02 ,  5F110HM04 ,  5F110HM12 ,  5F110QQ04 ,  5F110QQ05 ,  5F110QQ19 ,  5F140AA25 ,  5F140AC21 ,  5F140AC23 ,  5F140AC36 ,  5F140BB04 ,  5F140BC12 ,  5F140BF01 ,  5F140BF04 ,  5F140BF43 ,  5F140BF44 ,  5F140BH12 ,  5F140BH13 ,  5F140BH17 ,  5F140BH30 ,  5F140BH41 ,  5F140BH45 ,  5F140BH47 ,  5F140BK09 ,  5F140BK10 ,  5F140CE20

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 米国特許第6555873号公報
  
• 米国特許出願公開第2003/0102507号公報