特許
J-GLOBAL ID：200903072375456199
半導体製造装置および半導体デバイス製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
阪本 善朗
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-171454
公開番号（公開出願番号）：特開2001-351851
出願日： 2000年06月08日
公開日（公表日）： 2001年12月21日
要約：
【要約】【課題】 光路上に空気の揺らぎを生じさせることなく遮光装置を効率よく冷却することができ、空気の揺らぎに起因する短時間での照度変化や照度むらをなくして不良素子の製造要因を排除し、装置稼動率を上げかつ装置稼動コストを減少させることが可能な半導体製造装置を提供する。【解決手段】 冷却制御部18と送風制御部19によりそれぞれ制御される冷却機16と送風機17によって温調された冷却用空気を中空形状のシャッター10の内部空間に供給することにより、光源ランプ9からの光の遮光と投光動作を行うシャッター10を内部から冷却するようにして、冷却用空気による光路上の空気の揺らぎを発生させず、また、シャッター10の投光状態や遮光状態、遮光状態保持時間さらに光源ランプ9への入力電力等に応じて、冷却用空気の送風量や温度を制御して、シャッター10を効率よく冷却する。
請求項（抜粋）：
光源からの光の遮光動作を行う遮光装置を備えた半導体製造装置において、前記遮光装置を内部から冷却することを特徴とする半導体製造装置。
IPC (2件)：
H01L 21/027
, G03F 7/20 521
G03F 7/20 521
, H01L 21/30 515 E
, H01L 21/30 502 G
, H01L 21/30 516 E
5F046AA28
, 5F046CB06
, 5F046CB22
, 5F046DA26
