特許
J-GLOBAL ID：200903072379384281
高周波パッケージ
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
藤谷 修
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-276016
公開番号（公開出願番号）：特開2001-102821
出願日： 1999年09月29日
公開日（公表日）： 2001年04月13日
要約：
【要約】【課題】 電力漏洩が少ない低損失の高周波パッケージを実現する。【解決手段】 誘電体基板2と筐体3により気密に封止されたキャビティ4の内部には、高周波用半導体素子5が搭載されており、このキャビティ4の内壁の誘電体基板2の表面には、ストリップ線路6と、切り込みを設けた短絡金属層7が形成されている。ストリップ線路6の一端は、ワイヤリボン8により高周波用半導体素子5と接続され、他端は短絡金属層7に設けられた切り込みの内側に配置されている。ストリップ線路6と導波管1とは整合素子10を介して電磁的に結合され、この整合素子10の共振作用により、高い電力変換効率が得られている。短絡金属層7、接地金属層9、及び導波管1は、導通孔12に埋め込まれた金属により、同電位に保たれており、これらの構成により、キャビティ4の内部への電力の漏洩が少ない、低損失の高周波パッケージが実現されている。
請求項（抜粋）：
誘電体基板と筐体により形成されるキャビティの内部に高周波用半導体素子が搭載され、複数の導波管と直接接続された高周波パッケージであって、前記キャビティの内壁の前記誘電体基板の表面に、切り込みを入れた短絡金属層と、一端が前記高周波用半導体素子と接続され、他端が前記切り込みの内側に前記短絡金属層と離して配置されたストリップ線路とを備え、前記誘電体基板の裏面に、前記導波管の導体断面に略合致する接地金属層を備え、前記短絡金属層と一定距離離れた、前記導波管内又は前記導波管開口部に、前記短絡金属層と略平行に配置された整合素子を備え、前記ストリップ線路と前記整合素子とが互いに接近して配置されることにより、前記ストリップ線路と前記整合素子とが互いに電磁的に結合されていることを特徴とする高周波パッケージ。
IPC (3件)：
H01P 5/107
, H01L 23/02
, H01P 5/02 603
H01P 5/107 B
, H01L 23/02 H
, H01P 5/02 603 Z
