特許

J-GLOBAL ID：200903072381731916

半導体装置

発明者： 藤田 孝博 ,  香山 聡 ,  新井 満 ,  黒田 淳 ,  鈴木 信行
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所 ,  日立超エル・エス・アイ・エンジニアリング株式会社
代理人 (1件)： 大日方 富雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-260119
公開番号（公開出願番号）：特開平7-115210
出願日： 1993年10月18日
公開日（公表日）： 1995年05月02日
要約：

【要約】【目的】 オーミック電極同様に整流性を示さず低抵抗な電極をショットキー電極で形成してなる半導体装置を提供する。【構成】 半導体基板1にn形半導体領域2が形成され、その上にカソード電極3及びアノード電極4が設けられている。両電極3,4は同一のショットキー金属よりなり、半導体領域2にショットキー接合している。アノード電極4におけるショットキー障壁の高さをカソード電極3におけるショットキー障壁の高さよりも低くするために、半導体領域2に対するカソード電極3の接触面積よりもアノード電極4の接触面積を大きくしている。それによって、アノード電極4における逆方向電流を流し易くし、以てアノード電極4を半導体領域2に疑似的にオーミック接触させている。【効果】 工程数が著しく減少する。キャリアプロファイルの乱れなどが起こるのが防止される。品質管理上極めて有効である。

請求項（抜粋）：

化合物半導体よりなる基板に形成され、且つ複数の電極を有してなる半導体装置において、それら複数の電極のうち少なくとも第1の電極及び第2の電極は、同一又は異なる半導体領域に何れもショットキー接合をしており、前記第1の電極の接合における障壁高さよりも、前記第2の電極の接合における障壁高さが低くなっていることを特徴とする半導体装置。