特許

J-GLOBAL ID：200903072382677575

赤外受光素子

発明者： 和田 守夫 ,  植田 敏嗣
出願人/特許権者： 横河電機株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-007581
公開番号（公開出願番号）：特開2002-217445
出願日： 2001年01月16日
公開日（公表日）： 2002年08月02日
要約：

【要約】【課題】 伝導帯のバンドオフセットを大きくし、価電子帯のバンドオフセットを小さくして、暗電流を小さくする。【解決手段】 量子井戸層材料をInAsPとし、バリア層材料をInPとした多重量子井戸構造を光吸収層に備える赤外吸収による電子の伝導帯のバンド内遷移を利用した赤外受光素子を提供する。

請求項（抜粋）：

赤外吸収による電子の伝導帯のバンド内遷移を利用した赤外受光素子において、量子井戸層材料をInAsPとし、バリア層材料をInPとした多重量子井戸構造を光吸収層に備えることを特徴とする赤外受光素子。

Fターム (5件)：

5F049MA01 ,  5F049MB07 ,  5F049NA01 ,  5F049NA05 ,  5F049QA16