特許
J-GLOBAL ID：200903072383298306
半導体量子微細構造の形成方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-322504
公開番号（公開出願番号）：特開平7-176523
出願日： 1993年12月21日
公開日（公表日）： 1995年07月14日
要約：
【要約】【目的】サーマルエッチングを利用してグレーティング基板のクリーニングを行い、その基板に高品質な半導体量子微細構造を製造する。【構成】GaAs基板1上にAlGaAsエッチング停止層2とGaAs保護層3を分子線エピタキシャル成長法により成長する。次に、この基板にグレーティング形状を加工するが、この際グレーティング溝部のみGaAs保護層3、AlGaAsエッチング停止層2を取り除く。さらにグレーティング基板を成長室でサーマルエッチングすることにより、GaAsのみを選択的にエッチングし、清浄なグレーティング基板表面を得た後、AlAs閉じ込め層4、6と微細GaAs層5を成長する。これにより、結晶性が良好なGaAs埋め込み量子細線の製造が可能となる。
請求項（抜粋）：
第1の化合物半導体からなり所定温度でサーマルエッチング可能な半導体基板の表面に前記所定温度でサーマルエッチングされないエッチング停止層および前記所定温度でサーマルエッチング可能な第2の化合物半導体からなる保護層を順次にエピタキシャル成長する工程と、リソグラフィー法により前記半導体基板に達する凹部を形成する工程と、前記所定温度でサーマルエッチングを行ない前記保護層を除去する工程と、所定のバンドギャップを有する第3の化合物半導体からなり前記凹部に対応した凹部を有する第1の閉じ込め層をエピタキシャル成長し、前記第1の閉じ込め層の凹部に前記第1の閉じ込め層よりバンドギャップの小さい第4の化合物半導体からなる微細半導体層をエピタキシャル成長し、前記微細半導体層よりバンドギャップの大きい第5の化合物半導体よりなる第2の閉じ込め層をエピタキシャル成長する工程とを有し、前記第1の閉じ込め層、微細半導体層および第2の閉じ込め層からなる量子細線または量子箱を形成することを特徴とする半導体量子微細構造の形成方法。
IPC (4件)：
H01L 21/3065
, H01L 21/306
, H01L 29/06
, H01L 29/68
H01L 21/302 J
, H01L 21/306 B
