特許

J-GLOBAL ID：200903072385012639

電力変換装置およびワイドギャップバイポーラ半導体素子の駆動方法

発明者： 菅原 良孝
出願人/特許権者： 関西電力株式会社
代理人 (2件)： 山崎 宏 ,  前田 厚司
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-113348
公開番号（公開出願番号）：特開2007-288919
出願日： 2006年04月17日
公開日（公表日）： 2007年11月01日
要約：

【課題】ワイドギャップバイポーラ半導体素子を高信頼性かつ低損失で駆動でき、可制御電流を大きくできる電力変換装置を提供する。【解決手段】この電力変換装置では、SiC-GTOサイリスタ1の稼動に先立ち、温度上昇用n型MOSFET11のゲート13に信号を印可してオンさせ、電源14 → アノード端子2 → ゲート端子4 → 抵抗12 → 温度上昇用n型MOSFET11 → 電源14の経路で温度上昇用電流(加熱電流)として約40Aの電流を流す。上記温度上昇用電流により、SiC-GTOサイリスタ1の温度を上昇させる。これにより、サイリスタ1の稼動により積層欠陥が増大したとしても、オン電圧の増大や最小ゲート点弧電流の増大、ターンオン時間の増大およびオフ時の電流の不均衡の増大などの劣化現象を抑制できる。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

制御電極と2つの主電極を有すると共に一方の主電極と上記制御電極との間に流す駆動電流によって駆動される電流駆動型のワイドギャップバイポーラ半導体素子と、 上記ワイドギャップバイポーラ半導体素子の制御電極に、上記駆動電流よりも大きな電流であると共に上記ワイドギャップバイポーラ半導体素子の温度を上昇させるための加熱電流を供給する加熱電流供給部と を備えたことを特徴とする電力変換装置。

IPC (8件)：

H02M 1/06 ,  H01L 29/744 ,  H01L 21/331 ,  H01L 29/73 ,  H01L 27/06 ,  H01L 29/861 ,  H02M 1/00 ,  H02M 7/48

FI (8件)：

H02M1/06 A ,  H01L29/74 C ,  H01L29/72 Z ,  H01L27/06 101P ,  H01L29/91 F ,  H02M1/06 D ,  H02M1/00 H ,  H02M7/48 M

Fターム (54件)：

5F003AP01 ,  5F003AP06 ,  5F003AP07 ,  5F003AZ01 ,  5F003BA08 ,  5F003BA92 ,  5F003BB04 ,  5F003BE04 ,  5F003BE90 ,  5F003BJ01 ,  5F003BJ12 ,  5F003BJ15 ,  5F003BJ20 ,  5F003BJ99 ,  5F003BM01 ,  5F003BM02 ,  5F003BP32 ,  5F003BZ01 ,  5F003BZ04 ,  5F005AC04 ,  5F005AF02 ,  5F005AH02 ,  5F005BA01 ,  5F005CA01 ,  5F082AA04 ,  5F082BC03 ,  5F082BC09 ,  5F082BC11 ,  5F082BC15 ,  5F082BC20 ,  5F082CA01 ,  5F082CA02 ,  5F082FA13 ,  5F082GA04 ,  5H007AA03 ,  5H007AA06 ,  5H007AA12 ,  5H007AA17 ,  5H007CA01 ,  5H007CA05 ,  5H007CB04 ,  5H007CB12 ,  5H007CC07 ,  5H007DA05 ,  5H007DB03 ,  5H007DB09 ,  5H007DC02 ,  5H007DC08 ,  5H740BA02 ,  5H740BA11 ,  5H740BB05 ,  5H740BB08 ,  5H740MM08 ,  5H740MM11