特許

J-GLOBAL ID：200903072386753691

発光器ならびにその使用方法および製造方法

発明者： ピーター・ジェイムズ・ドブソン ,  ギャリス・ウェイクフィールド
出願人/特許権者： アイシス・イノヴェイション・リミテッド
代理人 (1件)： 曾我 道照 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-190811
公開番号（公開出願番号）：特開2000-058905
出願日： 1999年07月05日
公開日（公表日）： 2000年02月25日
要約：

【要約】【課題】 公知の量子粒子発光器よりも効率のよい量子粒子発光器を提供する。【解決手段】 発光器を、上面に多孔性シリコン(3)の層を有するシリコン基板(2)から製造する。正孔トランスポータ(4)が、多孔性シリコン(2)の上面に施され、多孔性シリコン内に形成されたチャネル(3’)に貫入する。正孔トランスポータへの上部接点(5)として、NiO等の上部半透明p型材料が用いられ、シリコンウェハー(2)の底面に更なる接点が形成される。シリコン粒子間の間隙に正孔トランスポータが貫入することによって、発光器の効率は2桁改善する。この発光器は、VLSIおよびディスプレイに適用する使用に特に適している。

請求項（抜粋）：

バイアス電圧を印加することによって発光する半導体量子粒子を含む上部量子粒子層を有する基板と、少なくとも一方が少なくとも部分的に透明である第1および第2の接点とを含み、前記半導体材料の前記上部量子粒子層と前記第1の接点との間に設けられた正孔トランスポータを更なる特徴とし、該正孔トランスポータが少なくとも部分的に深さ100nmまで前記上部量子粒子層と混ざり合っている、発光器。