特許
J-GLOBAL ID:200903072389325038

生産性を向上するプラズマ反応器用溶射イットリア含有被膜

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (5件): 大塚 康徳 ,  高柳 司郎 ,  大塚 康弘 ,  木村 秀二 ,  松丸 秀和
公報種別:公表公報
出願番号(国際出願番号):特願2004-517642
公開番号(公開出願番号):特表2005-531157
出願日: 2003年06月12日
公開日(公表日): 2005年10月13日
要約:
プラズマ雰囲気における耐浸食、耐腐食および/または耐腐食-浸食を与える溶射イットリア含有被膜を備える半導体処理装置の構成要素。この被膜は下地を物理的および/または化学的攻撃から保護することができる。
請求項(抜粋):
半導体処理装置の構成要素であって、 表面を含む下地と、 前記表面上に配置されたイットリアから本質的に成る溶射被膜とを備え、 前記溶射被膜は、前記構成要素の最も外側の面を含むことを特徴とする半導体処理装置の構成要素。
IPC (3件):
H01L21/3065 ,  H01J37/32 ,  H05H1/46
FI (3件):
H01L21/302 101G ,  H01J37/32 ,  H05H1/46 L
Fターム (3件):
5F004AA16 ,  5F004BA20 ,  5F004BB29
引用特許:
出願人引用 (13件)
  • 米国特許第4340462号
  • 米国特許第6352611号
  • 米国特許第5824605号
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審査官引用 (3件)

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