特許
J-GLOBAL ID：200903072391258313
半導体発光装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-225362
公開番号（公開出願番号）：特開平7-086683
出願日： 1993年09月10日
公開日（公表日）： 1995年03月31日
要約：
【要約】【目的】 注入した電流を効果的に狭窄し得る電流狭窄構造を実現することができ、動作電圧が低く、高信頼性,高発光効率を有するワイドギャップII-VI族化合物半導体による半導体レーザを提供すること。【構成】 p-GaAs基板11上に成長形成されたIn又はGaを含むバッファ層12〜15と、バッファ層12〜15上に積層形成されたp-ZnSSeクラッド層16,アンドープCdZnSe多重量子井戸活性層18及びn-ZnSSeクラッド層20からなるダブルヘテロ構造部とを備えた半導体レーザにおいて、基板11の表面の一部に(100)面から[011]方向に15°傾斜させた面を形成し、傾斜させた面上のpクラッド層16のキャリア濃度を(100)面上のpクラッド層16のそれよりも大きくしたことを特徴とする。
請求項（抜粋）：
単結晶基板上に成長形成されたバッファ層と、このバッファ層上に積層形成された該層とヘテロ接合をなすII-VI族化合物半導体層とを具備してなる半導体発光装置であって、前記バッファ層に接するII-VI族化合物半導体層のうち、電流狭窄を行う部分を除く部分のキャリア濃度を電流狭窄を行う部分よりも大きくすることにより、前記バッファ層とII-VI族化合物半導体層間のヘテロバリアを低くしてなることを特徴とする半導体発光装置。
IPC (2件)：
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