特許

J-GLOBAL ID：200903072393047760

モノリシック半導体集積回路およびそれを用いた表示装置

発明者： 石亀 剛 ,  小坂 幸広
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 岩橋 文雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-319229
公開番号（公開出願番号）：特開2001-135665
出願日： 1999年11月10日
公開日（公表日）： 2001年05月18日
要約：

【要約】【課題】 高アスペクト比のモノリシック半導体集積回路を用いたCOG実装方式による表示装置の、COG実装時の膨張による接続不良を防止。【解決手段】 モノリシック半導体集積回路とガラス基板とを異方性導電接着剤を介し、主にモノリシック半導体集積回路の回路形成面の反対の面から加熱加圧により接続した表示装置において、突起電極の寸法と表示パネル上の電極の寸法のモノリシック半導体集積回路の長辺と平行方向の寸法が、表示パネル上の電極寸法が大で、かつ、モノリシック半導体集積回路の長辺の中心部付近の突起電極と表示パネル上の電極との寸法差は、モノリシック半導体集積回路の対角部付近の突起電極と表示パネル上の電極との寸法差より小さく構成。

請求項（抜粋）：

複数の電極を有した回路基板に実装されるモノリシック半導体集積回路は複数の突起電極を有し、前記突起電極と前記電極との間に異方導電性接着剤を備えて、前記異方導電性接着剤は主に前記モノリシック半導体集積回路の突起電極を有した面の反対の面からの加熱と加圧とにより前記突起電極と前記電極とが接続されるモノリシック半導体集積回路であって、前記加熱による前記モノリシック半導体集積回路の寸法の熱膨張で、前記突起電極の位置と前記電極の位置とにずれが生じても、前記突起電極の電極面の全てが前記電極の電極面の一部で接続されるように、前記モノリシック半導体集積回路は長方形の形状で、一方の面にはほぼ外周部に沿って突起電極を有し、前記回路基板は前記突起電極の位置に対応した電極を有し、さらに前記モノリシック半導体集積回路の突起電極の寸法は前記回路基板の前記電極の寸法よりも、モノリシック半導体集積回路の長辺と平行な方向で小さくし、さらにモノリシック半導体集積回路の長辺と平行な方向での前記突起電極の寸法と前記電極の寸法との差は、前記モノリシック半導体集積回路の長辺の中心部付近から前記モノリシック半導体集積回路の対角部へかけて徐々に大きくしたことを特徴とするモノリシック半導体集積回路。

IPC (5件)：

H01L 21/60 ,  H01L 21/60 311 ,  G02F 1/1345 ,  G09F 9/00 346 ,  G09F 9/00 348

FI (5件)：

H01L 21/60 311 S ,  G02F 1/1345 ,  G09F 9/00 346 A ,  G09F 9/00 348 C ,  H01L 21/92 602 Q

Fターム (27件)：

2H092GA48 ,  2H092GA49 ,  2H092GA50 ,  2H092GA51 ,  2H092GA55 ,  2H092GA57 ,  2H092GA60 ,  2H092HA25 ,  2H092MA32 ,  2H092MA35 ,  2H092NA07 ,  2H092NA14 ,  2H092NA15 ,  2H092NA16 ,  2H092NA18 ,  2H092NA25 ,  2H092NA28 ,  2H092NA29 ,  5F044KK01 ,  5F044LL09 ,  5F044QQ02 ,  5G435AA16 ,  5G435BB04 ,  5G435BB12 ,  5G435EE41 ,  5G435HH13 ,  5G435KK03