特許

J-GLOBAL ID：200903072393592911

シリコン表面の平坦化方法

発明者： 長谷川 文夫
出願人/特許権者： 科学技術振興事業団
代理人 (1件)： 西澤 利夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-280524
公開番号（公開出願番号）：特開2000-091306
出願日： 1998年09月15日
公開日（公表日）： 2000年03月31日
要約：

【要約】【課題】 より低い温度のアニールとして、原子層レベルでのシリコン表面の平坦化を可能とする。【解決手段】 シリコンを、原子状水素含有雰囲気において熱処理し、シリコン表面を原子層レベルで平坦化する。

請求項（抜粋）：

シリコンを、原子状水素含有雰囲気において熱処理し、シリコン表面を原子層レベルで平坦化することを特徴とするシリコン表面の平坦化方法。

IPC (2件)：

H01L 21/306 ,  H01L 21/324

FI (2件)：

H01L 21/302 P ,  H01L 21/324 Z

Fターム (16件)：

5F004AA11 ,  5F004BA19 ,  5F004BB18 ,  5F004BB26 ,  5F004BC08 ,  5F004BD07 ,  5F004CA02 ,  5F004CA04 ,  5F004CA09 ,  5F004DA24 ,  5F004DB00 ,  5F004DB01 ,  5F004EA34 ,  5F004EA35 ,  5F004FA07 ,  5F004FA08