特許

J-GLOBAL ID：200903072396599313

半導体基板の製造方法及びその製造装置

発明者： 渡辺 智司
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 小川 勝男 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-318700
公開番号（公開出願番号）：特開2001-135582
出願日： 1999年11月09日
公開日（公表日）： 2001年05月18日
要約：

【要約】【課題】半導体基板の製造方法及びその製造装置において、半導体基板の生産性、熱処理時の歩留まり及び品質を向上すること。【解決手段】処理室1a内に半導体基板2を配置してサセプタ18に支持し、発熱体4で発生する熱をサセプタ18に伝えて半導体基板2を加熱して、プレヒート後に熱処理する半導体基板の製造方法及びその製造装置において、発熱体4とサセプタ18との間に形成した空間14内の気体を通して発熱体4で発生する熱をサセプタ18に伝えると共に、空間14の熱コンダクタンスを制御する。

請求項（抜粋）：

処理室内に半導体基板をサセプタに支持して配置し、発熱体で発生する熱を前記サセプタに伝えて前記半導体基板を前記サセプタにより加熱してプレヒート後に熱処理する半導体基板の製造方法において、前記発熱体と前記サセプタとの間に形成した空間に気体を供給し、前記発熱体で発生する熱を前記空間内の気体を通して前記サセプタに伝えると共に、前記空間の熱コンダクタンスを制御することを特徴とする半導体基板の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/458 ,  C23C 16/46 ,  H01L 21/203

FI (4件)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/458 ,  C23C 16/46 ,  H01L 21/203 S

Fターム (16件)：

4K030CA04 ,  4K030FA10 ,  4K030GA02 ,  4K030JA09 ,  4K030KA23 ,  5F045AA03 ,  5F045BB02 ,  5F045DP03 ,  5F045EF05 ,  5F045EK07 ,  5F045EK21 ,  5F045EM07 ,  5F103AA08 ,  5F103BB42 ,  5F103BB57 ,  5F103RR10