特許
J-GLOBAL ID：200903072397715279
ポリシリコンの化学的蒸着のための方法および装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
特許業務法人明成国際特許事務所
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-559903
公開番号（公開出願番号）：特表2003-522716
出願日： 2000年08月17日
公開日（公表日）： 2003年07月29日
要約：
【要約】【解決手段】 取り外し可能なチューブ部分への化学的蒸着プロセスによる、バルクポリシリコン生産用の方法および装置、およびプロセスによる生成物。石英製エンベロプおよびベースプレートが、CVDリアクタエンクロージャを形成し、外部放射ヒータが、リアクタの壁を通してプロセス用の熱を供給し、プロセスガス流入ポートおよび流出ポートが、ベースプレートに配置されている。チューブ部分は、EFGシリコン製チューブ部分が好ましく、ベースプレート上に垂直方向に配置され、上部を閉じられており、反応チャンバとして用いられる。CVDプロセス中、チャンバチューブの内部表面で蒸着が起き、蒸着層の内径は生成物が蓄積するにつれて小さくなる。2つのチューブを備えたリアクタでは、プロセスガスがミドルチューブの上および下を流れるように、直径の小さい垂直方向のミドルチューブが、チャンバチューブ内に一定間隔で配置、保持され、その結果、チューブの3つの露出表面で蒸着が起きるようになっている。ベースプレート上に取り付けられた同軸コアチューブおよびヒータが、さらに多くの蒸着表面積を提供し、リアクタ内の熱勾配を改善し、プロセスの熱効率を向上させる。ミドルチューブの両面とコアチューブの外部に蒸着された豊富な蒸着物は、本プロセス独自の生成物である。
請求項（抜粋）：
化学的蒸着プロセスによるバルクポリシリコンの生産方法であって、 水平方向のリアクタ基盤に取り付け可能な垂直壁の化学的蒸着リアクタエンベロプを用いる工程を含み、 前記基盤は流入ポートと流出ポートを含み、前記ポートの各々は前記エンベロプの内部に通じており、さらに、 前記基盤上の前記エンベロプ内に、前記流入ポートおよび前記流出ポートと通じるように薄壁チャンバチューブを垂直方向に配置する工程と、 反応チャンバを形成するために、前記チャンバチューブの上端を閉じる工程と、 蒸着層を含む前記チャンバチューブの前記内部表面を、選択したキャリヤガスおよびシリコン反応物質の混合物の前記蒸着温度に上昇、維持させるために放射熱源を用いる工程と、 シリコンを前記壁表面に蒸着させるために、前記シリコン反応物材料を含有する前記キャリヤガスを前記反応チャンバに前記ガス流入ポートを通して流し、前記化学的蒸着プロセスの副生成ガスを前記反応チャンバから前記流出ポートを通して流す工程と、 前記リアクタエンベロプから前記チャンバチューブを前記蒸着層と共に除去する工程と、を含む、方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
C01B 33/02 E
, C30B 29/06 D
4G072AA01
, 4G072BB12
, 4G072GG03
, 4G072GG04
, 4G072HH04
, 4G072NN13
, 4G077AA02
, 4G077BA04
, 4G077DB28
, 4G077HA20
