特許

J-GLOBAL ID：200903072398509648

光電変換装置

発明者： 京田 豪 ,  福田 潤 ,  川井 信也 ,  有宗 久雄
出願人/特許権者： 京セラ株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-257608
公開番号（公開出願番号）：特開2003-069058
出願日： 2001年08月28日
公開日（公表日）： 2003年03月07日
要約：

【要約】【課題】 低コストで信頼性の高い光電変換装置を提供することを目的とする。【解決手段】 一方の電極層を有する基板上に一導電形を呈する粒状結晶半導体を多数配設して基板と接合し、この粒状結晶半導体間に絶縁体を充填してこの粒状結晶半導体上に逆導電形を呈する半導体層を設けるとともに、逆導電形を呈する半導体層に他方の電極を接続して設けた光電変換装置において、前記粒状結晶半導体がシリコンから成り、前記絶縁体がSnOおよびSnO2の一種以上を4.2〜20重量%含有するガラス組成物を用いることから、粒状結晶半導体間を埋め、クラック、発泡及び異常析出等の欠陥の発生を防止し、安定した信頼性を有する良好な絶縁体を形成でき、よって信頼性の高い光電変換装置を提供することができる。

請求項（抜粋）：

一方の電極層を有する基板上に一導電形を呈する粒状結晶半導体を多数配設して基板と接合し、この粒状結晶半導体間に絶縁体を充填してこの粒状結晶半導体上に逆導電形を呈する半導体層を設けるとともに、逆導電形を呈する半導体層に他方の電極を接続して設けた光電変換装置において、前記粒状結晶半導体がシリコンから成り、前記絶縁体がSnOおよびSnO2の一種以上を4.2〜20重量%含むガラス組成物から成ることを特徴とする光電変換装置。

Fターム (8件)：

5F051AA02 ,  5F051AA05 ,  5F051CB13 ,  5F051CB21 ,  5F051DA03 ,  5F051FA06 ,  5F051GA02 ,  5F051GA06