特許
J-GLOBAL ID：200903072407409872
プラズマ処理装置
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
小原 肇
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-339479
公開番号（公開出願番号）：特開平7-161697
出願日： 1993年12月04日
公開日（公表日）： 1995年06月23日
要約：
【要約】 (修正有)【目的】 プラズマ監視窓の透明ガラスへの生成ガスの付着を抑制して半導体ウエハのプラズマ処理回数を延ばし、装置の稼動効率を高めるプラズマ処理装置を提供する。【構成】 本プラズマ処理装置は、処理室1内で上下の電極4、7によりプラズマ8を発生させ、このプラズマ8により半導体ウエハをエッチング処理すると共に、上記処理室に設けられたプラズマ監視用窓10を透過するプラズマ8中の特定スペクトルの強度を検出し、この検出値に基づいてエッチング処理を監視するように構成されたプラズマ処理装置において、処理室1の周壁9に形成された開口部に筒体を突出させて接続すると共にこの筒体の外端面に監視用窓10を設け、且つ筒体内に周壁9と監視用窓10との間に位置させた狭窄部を設けたものである。
請求項（抜粋）：
処理室内で一対の電極によりプラズマを発生させ、このプラズマにより被処理体をプラズマ処理すると共に、上記処理室に設けられた監視用窓を透過するプラズマ中の特定スペクトルの強度を検出し、検出値に基づいてプラズマ処理を監視するように構成されたプラズマ処理装置において、上記処理室の周壁に形成された開口部に筒状部材を突出させて接続すると共にこの筒状部材の外端に監視用窓を設け、且つ上記筒状部材内に周壁と監視用窓との間に位置させた狭窄部を設けたことを特徴とするプラズマ処理装置。
FI (2件)：
H01L 21/302 E
, H01L 21/302 C
