特許

J-GLOBAL ID：200903072408764293

磁気メモリ及びそれを用いた半導体記憶装置

発明者： 井上 大介
出願人/特許権者： キヤノン株式会社
代理人 (1件)： 山下 穣平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-145341
公開番号（公開出願番号）：特開2001-332081
出願日： 2000年05月17日
公開日（公表日）： 2001年11月30日
要約：

【要約】【課題】 チャネル領域などの半導体領域に対して、一様に、垂直に磁界をかけられるような磁気メモリを提供する。【解決手段】 第1の電極領域16と第2の電極領域15との間に備えた半導体領域17に対して、該第1,第2の電極領域16,15が形成されている方向の直角方向に磁界が印加されるように、該半導体領域17を覆うような形状の磁性体部14を形成する。

請求項（抜粋）：

第1の電極領域と第2の電極領域との間に備えた半導体領域又は抵抗体に対して、該第1,第2の電極領域が形成されている方向の直角方向に磁界が印加されるように、該半導体領域を覆うような形状の磁性体部を形成してなることを特徴とする磁気メモリ。

IPC (8件)：

G11C 11/14 ,  H01L 27/10 451 ,  H01L 21/331 ,  H01L 29/73 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/337 ,  H01L 29/808 ,  H01L 43/08

FI (6件)：

G11C 11/14 A ,  H01L 27/10 451 ,  H01L 43/08 Z ,  H01L 29/72 ,  H01L 29/78 613 B ,  H01L 29/80 C

Fターム (46件)：

5F003AZ03 ,  5F003BA11 ,  5F003BA96 ,  5F003BH18 ,  5F003BN00 ,  5F003BZ02 ,  5F003BZ03 ,  5F083FZ10 ,  5F083HA02 ,  5F083HA06 ,  5F083NA01 ,  5F083NA08 ,  5F102FB06 ,  5F102FB10 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GD04 ,  5F102GJ10 ,  5F102GL04 ,  5F102GL05 ,  5F102GM04 ,  5F102GM05 ,  5F102GV00 ,  5F102GV06 ,  5F102GV07 ,  5F110AA30 ,  5F110BB05 ,  5F110CC02 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD05 ,  5F110DD13 ,  5F110EE22 ,  5F110EE30 ,  5F110FF02 ,  5F110FF12 ,  5F110GG02 ,  5F110GG04 ,  5F110GG12 ,  5F110GG22 ,  5F110HM02 ,  5F110HM12 ,  5F110NN02 ,  5F110NN62