特許

J-GLOBAL ID：200903072411507323

イオンプレーテイング装置

発明者： 清水 康司
出願人/特許権者： 日本電子株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-244631
公開番号（公開出願番号）：特開平5-059539
出願日： 1991年08月29日
公開日（公表日）： 1993年03月09日
要約：

【要約】【目的】 低圧力で、しかも低電圧で放電を発生させることができると共に、放電電流を大きくすることのできるイオンプレーティング装置を提供する。【構成】 蒸発材料4に電子ビームEを照射して蒸発させ、ガス供給装置11より反応ガスを導入した状態で、電極13に電圧を印加しこの電極とルツボ3間で放電を発生させることにより蒸発粒子や反応ガスをイオン化する。このとき、電極に埋め込んだ相対向するように配置された永久磁石14A乃至14Dと15A乃至15Dによりこの電極の内側に一方向の磁界B1を発生させる。これによりルツボ3と電極13間に張り出し磁界B2が形成される為、蒸発材料からの電子が偏向されながら電極に到達し多数のイオンが発生する。その為、低圧力で、かつ低電圧にて放電を開始することができる。又、電極への電子が到達する部分の磁界B1はほとんどのものが電子の進行軌道と略平行となる為、効率良く電子を電極に導くことができる。

請求項（抜粋）：

ルツボ内に収容された蒸発物質を加熱蒸発するための手段と、前記ルツボに対向するように置かれかつホルダに保持された基板と、前記ルツボと基板との間に置かれた正の電圧が印加された環状電極とを備え、前記ルツボと環状電極間で放電させることにより蒸発物質をイオン化するようになした装置において、前記環状電極の内側に一方向の磁場を形成したことを特徴とするイオンプレーティング装置。