特許
J-GLOBAL ID：200903072413862120
半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
,
代理人 (1件)：
菊池 弘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-290500
公開番号（公開出願番号）：特開平5-102322
出願日： 1991年10月11日
公開日（公表日）： 1993年04月23日
要約：
【要約】【目的】 スルーホールフォトマスクの変更のみでマスタースライス方式の種々の多層配線を実現する。【構成】 縦横交互の向きにして行列状に配置された複数の帯状小断片で下層、上層配線を形成し、その配線間の所定箇所をスルーホール部で接続することで所望の配線パターンを形成する。下層、上層配線形成後、上層配線を貫通して下層配線表面に至るスルーホールを開口し、このスルーホールを金属で埋めて配線間の接続をとる。
請求項（抜粋）：
複数の帯状の小断片を縦横交互の向きで行列状に配置した下層配線を半導体基板上に形成する工程と、その下層配線上の全面に絶縁膜を形成し、前記下層配線と同一構成の上層配線を前記絶縁膜上に、前記下層配線と組合わされて格子状となるように形成する工程と、所定の箇所にスルーホールを開口し、金属を埋め込み、スルーホール部において下層配線と上層配線とを接続する工程とを具備する事を特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 21/90
, H01L 27/118
, H01L 21/3205
H01L 21/82 M
, H01L 21/88 A
