特許

J-GLOBAL ID：200903072424814756

半導体薄膜の製造方法及び半導体素子

発明者： 森 孝二 ,  近藤 信昭 ,  楠 雅統
出願人/特許権者： 株式会社リコー
代理人 (1件)： 高野 明近 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-146252
公開番号（公開出願番号）：特開平5-315361
出願日： 1992年05月12日
公開日（公表日）： 1993年11月26日
要約：

【要約】【目的】 CAP材を用いることのないアニール条件で、かつゲート絶縁膜としてもそのまま使用できる半導体薄膜を得る。【構成】 プラスチックフィルム1上に形成された非晶質材料2の上に、更に絶縁膜3を形成する。レーザアニールする場合、前記非晶質材料2が表面から溶融、再結晶化する時の温度が、フィルム1上にダメージとして係わらないようにする。絶縁膜3にはSiO2、Ta2O5を用いる。また、エキシマレーザを用い、前記非晶質材料2を照射して結晶化層4を得る。その後、エッチングしてゲート絶縁膜5を形成し、最後に、ゲート電極及びソース・ドレイン電極を設ける。

請求項（抜粋）：

プラスチックフィルム上に非晶質材料を有し、さらに該非晶質材料の上に酸化物絶縁膜を有し、レーザアニールすることを特徴とする半導体薄膜の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 21/336 ,  H01L 29/784 ,  H01L 21/20 ,  H01L 27/12

FI (2件)：

H01L 29/78 311 Y ,  H01L 29/78 311 G