特許

J-GLOBAL ID：200903072424987286

半導体試料のキャリアのライフタイム測定方法及びその装置

発明者： 吉田 尚幸 ,  高松 弘行 ,  住江 伸吾 ,  川田 豊 ,  橋爪 英久 ,  尾嶋 太 ,  平尾 祐司
出願人/特許権者： 株式会社神戸製鋼所 ,  ジェネシス・テクノロジー株式会社
代理人 (1件)： 本庄 武男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-139036
公開番号（公開出願番号）：特開平8-335618
出願日： 1995年06月06日
公開日（公表日）： 1996年12月17日
要約：

【要約】【目的】 半導体試料中のキャリアのライフタイムを表面再結合の影響を受けることなく,高精度に測定し得る半導体試料のキャリアのライフタイム測定方法及びその装置。【構成】 本方法及び装置は,予め半導体試料の表面を,電解質を含む溶液を用いてパッシベーション状態にしておき(S1),該パッシベーション状態にされた半導体試料の表面にマイクロ波を照射しつつ励起光を照射し(S2,S3),該半導体試料からのマイクロ波の透過波又は反射波を検出し(S4),該マイクロ波の透過波又は反射波の変化に基づいて上記半導体試料中に誘起されたキャリアのライフタイムを測定する(S5)に際し,上記パッシベーション状態にされた半導体試料の表面に,上記励起光とは別の定常的で且つ所定の光強度を有するバイアス光を照射する(S3′)ように構成されている。上記構成により,半導体試料中のキャリアのライフタイムを高精度に測定できる。

請求項（抜粋）：

予め半導体試料の表面を,電解質を含む溶液を用いてパッシベーション状態にしておき,該パッシベーション状態にされた半導体試料の表面にマイクロ波を照射しつつ励起光を照射し,該半導体試料からのマイクロ波の透過波又は反射波を検出し,該マイクロ波の透過波又は反射波の変化に基づいて上記半導体試料中の誘起されたキャリアのライフタイムを測定する半導体試料のキャリアのライフタイム測定方法において,上記パッシベーション状態にされた半導体試料の表面に,上記励起光とは別の定常的でかつ所定の光強度を有するバイアス光を照射してなることを特徴とする半導体試料のキャリアのライフタイム測定方法。

IPC (3件)：

H01L 21/66 ,  G01N 21/00 ,  G01N 21/88

FI (3件)：

H01L 21/66 M ,  G01N 21/00 B ,  G01N 21/88 E

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 特開昭59-181549