特許

J-GLOBAL ID：200903072429637933

レジスト組成物と有機硅素重合体の製造方法

発明者： 渡部 慶二 ,  矢野 映 ,  並木 崇久 ,  福田 麻奈美
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 井桁 貞一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-180011
公開番号（公開出願番号）：特開平5-025277
出願日： 1991年07月20日
公開日（公表日）： 1993年02月02日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】 二層構造用上層レジストに関し、感度と解像性に優れたネガ型レジストとこれを構成する有機硅素重合体の製造方法を提供する。【構成】 レジスト組成物の主成分を構成し一般式(1)で表される有機硅素重合体の製法として、一般式(2) の有機硅素化合物を加水分解し、脱水縮重合して得られるポリマを一般式(3),(4),(5) の中の何れか一つの有機硅素化合物と反応させ、ポリマの水酸基を次の一般式(6) で示されるトリオルガノシリル基で置換するか、或いは一般式(3),(4),(5) で示される硅素化合物の少なくとも一つを有機溶剤に溶解し、この溶液に水の存在の下で一般式(2) の有機硅素化合物を徐々に添加して脱水縮重合させ、有機硅素化合物中に含まれる水酸基を一般式(6) のトリオルガノシリル基に置換する。(Si2R1O3)m (R23SiO1/2) n ・・・・・・(1)X3SiR1SiX3 ・・・・・・・・(2)R23SiX ・・・・・・・・(3)R23Si-NH-SiR23 ・・・・・・・・(4)R23Si-O-SiR23 ・・・・・・・・(5)R23Si- ・・・・・・・・(6)こゝで、X はハロゲン基, アルコキシ基, シアノ基, イソシアナト基またはイソシアナト基を表し、R1はアルキレンを表し、R2は1価の炭化水素基を表し、同一または異なっていてもよい。

請求項（抜粋）：

下記一般式(1) で示される有機硅素重合体を主成分とするレジスト組成物(Si2R1O3)m (R23SiO1/2) n ・・・・・・(1)こゝで、R1はアルキレンを表し、R2は1価の炭化水素基を表し、同一または異なっていてもよい。m,n はそれぞれ正の整数を表す、

IPC (2件)：

C08G 77/00 NTZ ,  H01L 21/312