特許
J-GLOBAL ID：200903072435871972

光半導体装置及びその製造方法

発明者：
内田 建次

内田 建次 について

, 
平沢 宏希

平沢 宏希 について


出願人/特許権者：
NEC化合物デバイス株式会社

NEC化合物デバイス株式会社 について


代理人 (1件)： 鈴木 章夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-100767
公開番号（公開出願番号）：特開2003-298169
出願日： 2002年04月03日
公開日（公表日）： 2003年10月17日
要約：
【要約】【課題】 バッチ処理による生産を可能にすることで生産性の高い、かつ高品質な光半導体装置とその製造方法を提供する。【解決手段】 導電材料からなるフランジ102と、フランジ102と一体的に設けられた絶縁性ベース110と、フランジ102と一体に設けられて光半導体素子(レーザダイオードLD1,LD2,フォトダイオードPD)を搭載したアイランド103と、絶縁性ベースに支持されて光半導体素子LD1,LD2PDに電気接続されたリード105a〜105cとを備え、アイランド103とリード104,105a〜105cはフランジ102と同一材料で形成され、かつアイランド103及びリード105a〜105cはフランジ102に対してほぼ90度の角度に曲げ形成されている。
請求項（抜粋）：
導電材料からなるフランジと、前記フランジと一体的に設けられた絶縁性ベースと、前記フランジと一体に設けられて光半導体素子を搭載したアイランドと、前記絶縁性ベースに支持されて前記光半導体素子に電気接続されたリードとを備える光半導体装置であって、前記アイランドと前記リードは前記フランジと同一材料で形成され、かつ少なくとも前記リードは前記フランジに対して曲げ形成されていることを特徴とする光半導体装置。
IPC (3件)：
H01S 5/022 ,  H01L 23/50 ,  H01L 31/02
FI (3件)：
H01S 5/022 ,  H01L 23/50 K ,  H01L 31/02 B
Fターム (18件)：
5F067CC05 ,  5F067CC07 ,  5F067CD01 ,  5F073AB15 ,  5F073BA05 ,  5F073EA29 ,  5F073FA02 ,  5F073FA11 ,  5F073FA16 ,  5F073FA28 ,  5F073FA29 ,  5F073FA30 ,  5F088AA01 ,  5F088BB10 ,  5F088JA02 ,  5F088JA06 ,  5F088JA07 ,  5F088JA18
引用特許：
審査官引用 (7件)
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