特許

J-GLOBAL ID：200903072446052825

電界効果型トランジスタを含む半導体装置

発明者： 栄森 貴尚
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 深見 久郎 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-052380
公開番号（公開出願番号）：特開平6-268224
出願日： 1993年03月12日
公開日（公表日）： 1994年09月22日
要約：

【要約】【目的】 電界効果型トランジスタを含む半導体装置において、本来のトランジスタの電流駆動能力を低下させることなく寄生トランジスタによる側壁リーク電流を低減することを目的とする。【構成】 半導体層3の側壁3aおよび3bとゲート電極7との間に介在するように側壁3aおよび3bの表面上にゲート酸化膜6よりも厚い厚みを有する側壁絶縁膜4を形成する。

請求項（抜粋）：

主表面を有する絶縁層と、前記絶縁層の主表面上に形成され、主表面と側壁とを有し、その周囲から電気的に分離された第1導電型の島状半導体層と、前記島状半導体層内にチャネル領域を挟むように所定の間隔を隔てて形成された第2導電型の1対のソース/ドレイン領域と、前記島状半導体層のチャネル領域上と前記島状半導体層の側壁上の所定領域とに、第1の厚みを有するゲート絶縁層を介して形成されたゲート電極層と、前記島状半導体層の側壁と前記ゲート電極層との間に介在するように前記島状半導体層の側壁上に接触して形成され、前記第1の厚みよりも大きい前記絶縁層の主表面に沿った方向の第2の厚みを有する側壁絶縁膜とを備えた、電界効果型トランジスタを含む半導体装置。