特許

J-GLOBAL ID：200903072447013386

半導体装置およびその製造方法、半導体製造装置、半導体基板の入炉方法

発明者： 宇佐美 達矢
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 山下 穣平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-316932
公開番号（公開出願番号）：特開平11-150109
出願日： 1997年11月18日
公開日（公表日）： 1999年06月02日
要約：

【要約】【課題】 残留酸素が炉内で残る。ウエハの間に存在する空気の置換が十分に行えない。【解決手段】 炉101内の雰囲気を半導体基板104の入炉時に置換させる半導体基板の入炉方法において、酸素の分子量以上の不活性ガスおよび酸素の分子量未満の不活性ガスあるいは窒素ガスをガス導入口106から半導体基板104の入炉時に流す。

請求項（抜粋）：

炉内の雰囲気を半導体基板の入炉時に置換させる半導体基板の入炉方法において、酸素の分子量以上の不活性ガスおよび酸素の分子量未満の不活性ガスあるいは窒素ガスを半導体基板の入炉時に流すことを特徴とする半導体基板の入炉方法。

IPC (3件)：

H01L 21/31 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/22 511

FI (3件)：

H01L 21/31 E ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/22 511 S