特許

J-GLOBAL ID：200903072449355101

酸素イオン伝導体素子、酸素イオン伝導体素子の製造方法、及び酸素イオン伝導体素子を用いた酸素濃度制御装置

発明者： 鳥井 秀雄 ,  藤井 映志 ,  平澤 拓 ,  友澤 淳
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (10件)： 前田 弘 ,  小山 廣毅 ,  竹内 宏 ,  嶋田 高久 ,  竹内 祐二 ,  今江 克実 ,  藤田 篤史 ,  二宮 克也 ,  原田 智雄 ,  井関 勝守
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-006482
公開番号（公開出願番号）：特開2005-270962
出願日： 2005年01月13日
公開日（公表日）： 2005年10月06日
要約：

【課題】 酸素イオン伝導体薄膜を効率的に加熱でき、迅速かつ低電力で酸素の分離を行うことのできる酸素濃度制御装置、及びこの酸素濃度制御装置に用いられる酸素イオン伝導体素子を提供する。【解決手段】 酸素イオン伝導体薄膜2の上面に、貫通孔を有する第1電極薄膜を形成する。そして、この貫通孔内における酸素イオン伝導体薄膜2の上面に、抵抗体5を形成する。これにより、抵抗体5で酸素イオン伝導体薄膜2を直接的に加熱でき、酸素イオン伝導体薄膜2の酸素イオン伝導性を迅速かつ低電力で向上させることができる。【選択図】図3

請求項（抜粋）：

第1電極薄膜と、 前記第1電極薄膜の上面に形成された酸素イオン伝導体薄膜と、 前記酸素イオン伝導体薄膜の上面に形成された第2電極薄膜と を備え、 前記第2電極薄膜の上面上には支持部材が形成されており、 前記支持部材には前記第2電極薄膜の上面の少なくとも一部を露出させる少なくとも1つの開口部が形成されている、酸素イオン伝導体素子。

IPC (4件)：

B01D53/22 ,  B01D53/32 ,  B01D71/02 ,  F24F1/00

FI (4件)：

B01D53/22 ,  B01D53/32 ,  B01D71/02 500 ,  F24F1/00 371Z

Fターム (23件)：

3L051BC10 ,  4D006GA41 ,  4D006HA41 ,  4D006JA23C ,  4D006JA42A ,  4D006JA51Z ,  4D006KA02 ,  4D006KA15 ,  4D006KB01 ,  4D006KE11P ,  4D006KE11Q ,  4D006MA03 ,  4D006MA24 ,  4D006MA31 ,  4D006MB03 ,  4D006MB04 ,  4D006MC03X ,  4D006NA33 ,  4D006PA10 ,  4D006PB17 ,  4D006PB62 ,  4D006PC11 ,  4D006PC73

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 酸素分離装置および酸素分離装置の制御方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-049920   出願人：松下電器産業株式会社