特許

J-GLOBAL ID：200903072449416909

薄膜の形成方法及び形成装置

発明者： 柿本 一臣 ,  飯島 康裕
出願人/特許権者： 株式会社フジクラ
代理人 (4件)： 志賀 正武 ,  高橋 詔男 ,  渡邊 隆 ,  青山 正和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-053298
公開番号（公開出願番号）：特開2004-263227
出願日： 2003年02月28日
公開日（公表日）： 2004年09月24日
要約：

【課題】プルームを無駄なく効果的に使用することで、プルームの収率を向上させることができ、しかも、積層構造の酸化物超電導体薄膜を得る場合においても、成膜工程を短縮することができ、製造コストの低減を図ることができる薄膜の形成方法及び形成装置を提供する。【解決手段】本発明の薄膜の形成方法は、レーザ光8a〜8cをターゲット7の表面に照射して、このターゲット7の構成粒子を叩き出し若しくは蒸発させてプルーム55を生じさせ、このプルーム55内に薄膜積層体34を複数回通過させて、この通過毎に薄膜積層体34上にプルーム55に含まれる構成粒子を堆積させ、この薄膜積層体34上に積層構造の酸化物超電導体薄膜を成膜することを特徴とする。【選択図】 図3

請求項（抜粋）：

レーザ光をターゲットの表面に照射して、このターゲットの構成粒子を叩き出し若しくは蒸発させ、この構成粒子を帯状の基材上に堆積させることにより薄膜を形成する薄膜の形成方法であって、 前記帯状の基材を前記構成粒子の堆積領域内を複数回通過させて、この通過毎に前記帯状の基材上に前記構成粒子を堆積させ、前記帯状の基材上に複数層からなる薄膜を成膜することを特徴とする薄膜の形成方法。

IPC (7件)：

C23C14/28 ,  C23C14/24 ,  C23C14/56 ,  C30B23/08 ,  C30B29/22 ,  H01B12/06 ,  H01B13/00

FI (7件)：

C23C14/28 ,  C23C14/24 Q ,  C23C14/56 B ,  C30B23/08 Z ,  C30B29/22 501H ,  H01B12/06 ,  H01B13/00 565D

Fターム (29件)：

4G077AA03 ,  4G077BC53 ,  4G077DA03 ,  4G077DA11 ,  4G077ED04 ,  4G077EF02 ,  4G077SB01 ,  4K029AA02 ,  4K029AA25 ,  4K029BA43 ,  4K029BB02 ,  4K029BC04 ,  4K029BD00 ,  4K029DB20 ,  4K029DC05 ,  4K029KA01 ,  4K029KA03 ,  5G321AA01 ,  5G321AA04 ,  5G321AA06 ,  5G321AA07 ,  5G321CA04 ,  5G321CA18 ,  5G321CA21 ,  5G321CA24 ,  5G321CA27 ,  5G321CA28 ,  5G321DB37 ,  5G321DB44