特許

J-GLOBAL ID：200903072450440988

マイクロデバイス基板およびマイクロデバイス基板の製造方法

発明者： 藤井 知 ,  後藤 登
出願人/特許権者： 住友電気工業株式会社
代理人 (1件)： 長谷川 芳樹 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-126431
公開番号（公開出願番号）：特開平8-321445
出願日： 1995年05月25日
公開日（公表日）： 1996年12月03日
要約：

【要約】【目的】 マイクロデバイス加工用基板における「反り」の影響を実質的に除去ないし軽減したマイクロデバイス加工用基板ないしマイクロデバイス基板を提供する。【構成】 少なくとも一部が半導体材料からなり、そのデバイス形成用面1aと反対の面1b側に、該基板の「反り量」を低減する「歪み層」2が形成されているマイクロデバイス加工用基板1。

請求項（抜粋）：

少なくとも一部が半導体材料からなるマイクロデバイス加工用基板であって、前記基板のデバイス形成用面と反対の面側に、該基板の「反り量」を低減する歪み層が形成されていることを特徴とするマイクロデバイス加工用基板。

IPC (3件)：

H01L 21/02 ,  H01L 21/08 ,  H01L 21/304 321

FI (3件)：

H01L 21/02 B ,  H01L 21/08 ,  H01L 21/304 321 B

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平3-165509
  
• 特開昭54-134563
  
• 特開昭53-076781