特許
J-GLOBAL ID：200903072454462200
多層配線基板の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
井出 直孝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-247975
公開番号（公開出願番号）：特開平5-152750
出願日： 1991年09月26日
公開日（公表日）： 1993年06月18日
要約：
【要約】【目的】 金属配線パターン上に逆テーパ形のビィアホールが形成されることをなくして配線パターンとの断線を防止するとともに、工程数を少なくする。【構成】 ポリイミド膜および金属配線パターンを形成する高密度多層配線基板の製造方法において、配線パターン上にポリイミド膜3とレジスト膜4とを形成した後に、レジスト膜4にエキシマレーザ光を照射して配線用のパターン加工を行い、さらに、ポリイミド膜3にエキシマレーザ光を照射してビィアホール用のパターン加工を行う。次いで、導体層形成工程でエキシマレーザ光により金属薄膜とレジスト膜とのエンチングを行う。【効果】 配線パターンの接続性を向上させることができ、それに伴って製造歩留りを高めることができる。
請求項（抜粋）：
ポリイミドと金属配線パターンを形成する多層配線基板の製造方法において、基板上に金属配線パターンを形成する第一の工程と、前記配線パターン上に前記基板の全面にわたってポリイミド膜を形成して低温乾燥する第二の工程と、前記ポリイミド膜をキュアしてイミド化する第三の工程と、前記ポリイミド膜上に前記基板の全面にわたってレジスト膜を形成して低温乾燥する第四の工程と、前記レジスト膜に所定の部分をマスクにより遮蔽して除去し配線パターン用の加工をする第五の工程と、前記レジスト膜が除去された部分のビィアホール形成部のポリイミド膜を除去してビィアホールを形成する第六の工程と、前記基板上の全面にわたって金属薄膜を形成する第七の工程と、前記レジスト膜上の金属薄膜を除去する第八の工程と、前記ビィアホール部の金属薄膜上にメッキ層を形成する第九の工程と、前記レジスト膜を除去する第十の工程とにより製造することを特徴とする多層配線基板の製造方法。
IPC (2件)：
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