半導体装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：大菅義之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-112732
公開番号（公開出願番号）：特開平6-037262
出願日： 1993年05月14日
公開日（公表日）： 1994年02月10日
要約：

【要約】【目的】 1つの半導体チップにハーフブリッジ回路を構成しながら、装置全体の形状を小型化するとともにその性能が低下しないようにする。【構成】 1つの半導体チップにn+ 型半導体規範11を共通コレクタ・カソード領域として、p型領域14をベース領域且つn+ 型領域15をエミッタ領域としてnpnトランジスタを縦型に形成するとともに、n型領域17を下領域且つp+ 型領域18をアノード領域としてpnpnサイリスタを縦型に形成してハーフブリッジ回路を構成する。上アーム及び下アームとも縦型であるから、面積効率、電流増幅率、電流容量の点で優れている。特に絶縁層を設けなくても上アームと下アーム間の絶縁が保たれる。分離領域であるn- 型領域12b及びn+ 型領域13を設け、漏れ電流を抑制する。

請求項（抜粋）：

同一半導体基板上に、2素子の内の一方が縦型構造のサイリスタから成り、他方が縦型構造のバイポーラトランジスタから成るハーフブリッジ回路が形成された半導体装置であって、前記サイリスタの第1導電型のカソード領域と前記バイポーラトランジスタの第1導電型のコレクタ領域に共通となる共通領域と、前記サイリスタの第2導電型の中間層と前記第1導電型の共通領域との間に形成される第1導電型の第1の分離領域と、前記サイリスタの第2導電型の中間層と前記バイポーラトランジスタの第2導電型のベース領域の間に介在された前記第1の分離領域内に形成される第1導電型の第2の分離領域とを備えたことを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 27/06 , H01L 29/74 , H01L 29/784

FI (2件)：

H01L 27/06 T , H01L 29/78 321 J

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