特許

J-GLOBAL ID：200903072462962807

プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置

発明者： 渡辺 成一 ,  古瀬 宗雄
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-121103
公開番号（公開出願番号）：特開平8-316205
出願日： 1995年05月19日
公開日（公表日）： 1996年11月29日
要約：

【要約】【構成】RFコイルを有するプラズマ処理装置において、RFコイル(3),(13),(14)により誘起される誘導電流(7)をさまたげる位置に、絶縁板(6)、すなわちスプリット板を配置するように構成した。【効果】プラズマを処理室側壁より遠ざけることができるので、処理室側壁の消耗を減少させ、高密度プラズマを生成することができるという効果がある。

請求項（抜粋）：

プラズマ発生装置と、減圧可能な処理室と、ガス供給装置と、真空排気装置より成り、該プラズマ発生装置あるいは該プラズマ発生装置の一部として、高周波電源および該高周波電源に接続されたRFコイルを有するプラズマ処理装置により、試料をプラズマ処理するプラズマ処理方法であって、前記RFコイルにより誘起される誘導電流をさまたげるように前記処理室内に絶縁あるいは導電板の表面を絶縁材でカバーすることを特徴とするプラズマ処理方法。

IPC (5件)：

H01L 21/3065 ,  C23C 16/50 ,  C23F 4/00 ,  H01L 21/205 ,  H05H 1/46

FI (6件)：

H01L 21/302 B ,  C23C 16/50 ,  C23F 4/00 A ,  H01L 21/205 ,  H05H 1/46 A ,  H05H 1/46 L