特許

J-GLOBAL ID：200903072466358548

メモリ素子およびその製造方法

発明者： 江川 智浩 ,  三宅 知之 ,  名倉 秀明
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 特許業務法人原謙三国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-308918
公開番号（公開出願番号）：特開2007-116068
出願日： 2005年10月24日
公開日（公表日）： 2007年05月10日
要約：

【課題】単純な加工プロセスおよび簡略な成膜プロセスによって、磁性細線にピニングサイトを設けたメモリ素子を製造する。【解決手段】基板1と、基板1上に設けられた堆積部2と、堆積部2に基板1の直上まで設けられた開口形状が矩形状の溝8と、溝8に設けられた磁性細線3と、磁性細線3にデータの記録を行なう書き込み素子4と、磁性細線3に記録されたデータを再生する読み込み素子5とを有しており、磁性細線3内にデータが記録されることによって形成される磁壁を電流によって移動させる単位セルを複数備えて成るメモリ素子の製造方法において、溝8における互いに対向する2組の側面のうちの一方の第1側面に、エッチングの繰り返しによって周期的な湾曲部7を設けて、磁性細線3を第1側面の湾曲部7に沿って形成する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

基板と、この基板上に設けられた開口形状が矩形状の第1溝と、この第1溝に設けられた磁性細線と、上記磁性細線にデータの記録を行なう書き込み素子と、上記磁性細線に記録されたデータを再生する読み込み素子とを有しており、上記磁性細線内にデータが記録されることによって形成される磁壁を電流によって移動させる単位セルを複数備えて成るメモリ素子の製造方法において、 上記第1溝における互いに対向する2組の側面のうちの一方の第1側面に、エッチングの繰り返しによって周期的な凹凸形状を設けて、上記磁性細線を上記凹凸形状に沿って形成することを特徴とするメモリ素子の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 21/824 ,  H01L 27/105 ,  H01L 29/82 ,  H01L 43/08

FI (3件)：

H01L27/10 447 ,  H01L29/82 Z ,  H01L43/08 Z

Fターム (3件)：

5F083FZ10 ,  5F083HA02 ,  5F083PR05

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 米国特許第6834005号公報(平成16年12月21日 公開)
  
• 米国特許2004/0251232号公報(平成16年12月16日 公開)
  

審査官引用 (1件)

• メモリ素子およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-298109   出願人：シャープ株式会社