特許

J-GLOBAL ID：200903072471044250

MIM構造素子およびその製造方法

発明者： 鈴木 睦三 ,  楠 敏明 ,  会田 敏之 ,  佐々木 進 ,  矢口 富雄 ,  成清 正 ,  山田 絵実子
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-213744
公開番号（公開出願番号）：特開平7-065710
出願日： 1993年08月30日
公開日（公表日）： 1995年03月10日
要約：

【要約】【目的】MIM型電子放出素子などのMIM構造素子の特性向上をはかる。【構成】金属の陽極酸化により絶縁層を形成する際、化成電流密度を0.0001A/m2 以上かつ0.1A/m2以下に制限して、酸化速度を遅くする。【効果】膜質の良い絶縁膜を得ることができ、電子放出素子に適用すると、高い放出比が得られる。MIMダイオードなどの電子素子に適用すると低リーク電流特性など優れた特性を実現できる。

請求項（抜粋）：

金属1,絶縁層,金属2の3つ以上の層を積層した構造を有する素子において、前記絶縁層を0.0001A/m2以上で0.1A/m2以下の化成電流密度で金属1を陽極酸化することにより形成することを特徴とするMIM構造素子の製造方法。

IPC (2件)：

H01J 9/02 ,  H01J 1/30

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開平2-121227
  
• 特公昭40-010338