特許

J-GLOBAL ID：200903072473092561

歪み検出センサ

発明者： 鵜飼 征一
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 春日 讓
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-026019
公開番号（公開出願番号）：特開2000-221091
出願日： 1999年02月03日
公開日（公表日）： 2000年08月11日
要約：

【要約】【課題】コンタクト部分でのシールド膜の導通不良を低減し、出力の経時変化を抑制して、信頼性が高い歪み検出センサを実現する。【解決手段】シールド膜6aをアルミニュウムなどの金属からなるコンタクト部5aと絶縁膜(層)20とで挟むことにより、コンタクト部5aと絶縁膜20との段差でのシールド膜6aの薄膜化、段切れ、導通不良等が防げる。これにより、接続の高信頼性が確保でき、シールド膜6aの機能である電位の安定性を確実に発揮させることができる。さらに、シールド膜6aと絶縁膜20との間にインサート材61aを配置して、シールド膜6aを2層構造とし、シールド膜6aの表面側を、例えばAu、Pt等の酸化しにく材質とすることによって、組立工程や周囲雰囲気で酸化されにくい構造とする。

請求項（抜粋）：

一つの半導体基板に複数の感歪み素子が形成され、これら感歪み素子上に絶縁膜が形成され、この絶縁膜上に導電性薄膜が設けられ、この導電性薄膜と上記半導体基板とを電気的に接続するコンタクト部を設け、上記導電性薄膜と上記半導体基板とが同一の電位に固定される構造の歪み検出センサにおいて、少なくとも上記導電性薄膜の一部は、上記絶縁膜と上記コンタクト部との間に挿入されることを特徴とする歪み検出センサ。

IPC (2件)：

G01L 9/04 101 ,  H01L 29/84

FI (2件)：

G01L 9/04 101 ,  H01L 29/84 B

Fターム (20件)：

2F055CC02 ,  2F055DD05 ,  2F055EE14 ,  2F055FF49 ,  2F055GG01 ,  2F055GG12 ,  4M112AA01 ,  4M112BA01 ,  4M112CA03 ,  4M112CA08 ,  4M112CA11 ,  4M112CA16 ,  4M112DA04 ,  4M112DA09 ,  4M112DA10 ,  4M112DA11 ,  4M112DA15 ,  4M112EA02 ,  4M112EA11 ,  4M112FA06