特許

J-GLOBAL ID：200903072473901273

磁気抵抗効果型磁気ヘッドの製造方法

発明者： 工藤 久
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 小池 晃 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-029101
公開番号（公開出願番号）：特開2000-228005
出願日： 1999年02月05日
公開日（公表日）： 2000年08月15日
要約：

【要約】【課題】 良好な絶縁性を確保しながら膜厚が極めて薄い絶縁膜を形成し、高密度記録に対応することができる磁気抵抗効果型磁気ヘッドを製造する。【解決手段】 グリッド23,24により加速されたイオンビームをターゲット30に向けて出射してこのターゲット30をスパッタリングするための第1のグリッドガン11と、グリッド27,28により加速されたイオンビームを基板31に向けて出射してこの基板31をエッチングするための第2のグリッドガン12とを備えたイオンビームデポジション装置10を用い、第2のグリッドガン12をONにして、基板31をエッチングした後に、第2のグリッドガン12をOFFにして、第1のグリッドガン11によるスパッタリングを行うことにより基板31上に絶縁膜を成膜する。

請求項（抜粋）：

基板上に少なくとも絶縁膜を介して磁気抵抗効果素子が設けられた磁気抵抗効果型磁気ヘッドを製造するに際し、グリッドにより加速されたイオンビームをターゲットに向けて出射してこのターゲットをスパッタリングするための第1のグリッドガンと、グリッドにより加速されたイオンビームを成膜対象に向けて出射してこの成膜対象の膜付け面をエッチングするための第2のグリッドガンとを備えた成膜装置を用い、上記第2のグリッドガンをONにして、成膜対象の膜付け面をエッチングした後に、上記第2のグリッドガンをOFFにして、上記第1のグリッドガンによるスパッタリングを行うことにより上記成膜対象の膜付け面に上記絶縁膜を成膜することを特徴とする磁気抵抗効果型磁気ヘッドの製造方法。

IPC (3件)：

G11B 5/39 ,  G01R 33/09 ,  H01F 41/18

FI (3件)：

G11B 5/39 ,  H01F 41/18 ,  G01R 33/06 R

Fターム (18件)：

2G017AA04 ,  2G017AC01 ,  2G017AD55 ,  2G017AD63 ,  2G017AD65 ,  5D034BA02 ,  5D034BA15 ,  5D034BA16 ,  5D034BB09 ,  5D034DA04 ,  5D034DA07 ,  5E049AC00 ,  5E049AC05 ,  5E049BA12 ,  5E049CB01 ,  5E049DB04 ,  5E049DB11 ,  5E049GC01