半導体装置および半導体装置の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：高田守 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-306133
公開番号（公開出願番号）：特開平8-162460
出願日： 1994年12月09日
公開日（公表日）： 1996年06月21日
要約：

【要約】【目的】配線層の信頼性を向上させることができる半導体装置を得る。【構成】半導体基板1上に形成されたアルミニウムを含む配線層6と、配線層6上のみに形成された窒化チタン膜7と、窒化チタン膜7上のみに形成されたシリコン酸化膜8とを備える。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に形成されたアルミニウムを含む配線層と、上記配線層上のみに形成された窒化チタン膜と、上記窒化チタン膜上のみに形成されたシリコン酸化膜とを備えたことを特徴とする半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 21/3213 , H01L 21/316 , H01L 21/318 , H01L 21/3205

FI (2件)：

H01L 21/88 C , H01L 21/88 N

引用特許：

審査官引用 (6件)

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