特許

J-GLOBAL ID：200903072485551880

不揮発性半導体記憶装置の書き込み方法および記録媒体

発明者： 根芝 賢太郎
出願人/特許権者： 日本電気アイシーマイコンシステム株式会社
代理人 (1件)： 堀 城之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-291324
公開番号（公開出願番号）：特開2000-113686
出願日： 1998年09月30日
公開日（公表日）： 2000年04月21日
要約：

【要約】【課題】 書き込み後のメモリセルのしきい値の分布を狭小化するとともに、書き込み時間の短縮または書き込みストレスの低減を実現する。【解決手段】 まず、ステップS1において、メモリセルの初期しきい値Vtを測定し、次に、ステップS2において、メモリセルに書き込みパルスを印加する。次に、ステップS3において、再度しきい値を測定し、書き込みパルスを印加する前後の上記しきい値に基づいて、メモリセルの特性を判断し、ステップS4において、メモリセルの特性に合った最適な書き込みパルスのパルス幅、又はパルス電圧を設定し、ステップS5において、この書き込みパルスをメモリセルに印加する。

請求項（抜粋）：

書き込み信号を印加して、メモリセルの電荷蓄積層の電荷蓄積量を変化させ、しきい値電圧を制御することにより、データの書き込みを行う不揮発性半導体記憶装置の書き込み方法であって、前記メモリセルに対して、最初の書き込み信号を印加する前後に、前記メモリセルのしきい値を測定し、測定された前記メモリセルのしきい値に基づいて、書き込み条件を決定し、決定した前記書き込み条件に対応した書き込み信号を前記メモリセルに印加することを特徴とする不揮発性半導体記憶装置の書き込み方法。

Fターム (6件)：

5B025AA03 ,  5B025AB01 ,  5B025AC01 ,  5B025AD04 ,  5B025AE05 ,  5B025AE08