特許

J-GLOBAL ID：200903072491134476

ダイヤモンド薄板の製造方法

発明者： 今井 貴浩 ,  藤森 直治
出願人/特許権者： 住友電気工業株式会社
代理人 (1件)： 深見 久郎 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-024033
公開番号（公開出願番号）：特開平6-234595
出願日： 1993年02月12日
公開日（公表日）： 1994年08月23日
要約：

【要約】【目的】 量産性に優れ、かつ安価に多結晶または単結晶のダイヤモンド薄板を製造するダイヤモンド薄板の製造方法を提供する。【構成】 気相合成法により、光透過性の高い第1のダイヤモンド層3と、第1のダイヤモンド層3より光透過性の低い第2のダイヤモンド層4とを交互に合成することにより、ダイヤモンド積層体2を形成した後、ダイヤモンド積層体2にレーザ光5を照射することにより、第2のダイヤモンド層4にレーザ光を吸収させ、第2のダイヤモンド層4を境界として、第1のダイヤモンド層3をダイヤモンド薄板として分離する。

請求項（抜粋）：

気相合成法により、光透過性の高い第1のダイヤモンド層と、前記第1のダイヤモンド層より光透過性の低い第2のダイヤモンド層とを交互に合成することにより、前記第1および第2のダイヤモンド層とが交互に積層されてなるダイヤモンド積層体を形成する工程と、前記ダイヤモンド積層体にレーザ光を照射して、前記第2のダイヤモンド層に前記レーザ光を吸収させ、前記第2のダイヤモンド層を境界として、前記第1のダイヤモンド層をダイヤモンド薄板として分離する工程とを備える、ダイヤモンド薄板の製造方法。

IPC (2件)：

C30B 29/04 ,  C23C 14/06

引用特許：

出願人引用 (5件)

• 特開昭60-141697
  
• 半導体ダイヤモンド
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-148391   出願人：川崎製鉄株式会社
• 半導体ダイヤモンドの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-186079   出願人：松下電器産業株式会社
• 特開平4-232273
  
• 特開昭62-054587