特許
J-GLOBAL ID：200903072491903976
半導体発光素子およびその製法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
朝日奈 宗太 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-128316
公開番号（公開出願番号）：特開平9-312443
出願日： 1996年05月23日
公開日（公表日）： 1997年12月02日
要約：
【要約】【課題】 積層欠陥を囲むショックレータイプの部分転位が発光領域を貫通するのを防ぎ、素子の劣化を抑え長時間安定に動作する光素子をうることを課題とする。【解決手段】 n型GaAs基板2上に活性層を含む複数のII-VI族半導体結晶層が積層されてなる半導体発光素子であって、発光領域に対応する前記GaAs基板の一部分を除去して凹部とし、さらに、前記GaAs基板と前記II-VI族半導体結晶層との界面から発生する、ショックレータイプの部分転位に囲まれた積層欠陥のペア21が拡張されることにより、前記部分転位が前記活性層の発光領域からはずされるように部分転位除去処理が、前記凹部の底面から前記II-VI族半導体結晶層の積層欠陥を含む領域に対して施されてなる。
請求項（抜粋）：
GaAs基板上に活性層を含む複数のII-VI族半導体結晶層が積層されてなる半導体発光素子であって、(イ)前記II-VI族半導体結晶層が積層されたのちに、前記GaAs基板のうち発光領域に対応した一部分が除去されて凹部とされ、さらに、(ロ)前記GaAs基板と前記II-VI族半導体結晶層との界面から発生する、ショックレータイプの部分転位に囲まれた積層欠陥が拡張されることにより、前記II-VI族半導体結晶層に生じる部分転位が前記II-VI族半導体結晶層の発光領域からはずされる部分転位除去処理が、前記凹部の底面から前記II-VI族半導体結晶層の積層欠陥を含む領域に対して施されてなることを特徴とする半導体発光素子。
IPC (2件)：
FI (2件)：
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