特許

J-GLOBAL ID：200903072491985379

半導体結晶ウェハの研磨方法及びその方法で得られるウェハ

発明者： 谷 毅彦 ,  池田 健
出願人/特許権者： 日立電線株式会社
代理人 (1件)： 絹谷 信雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-327243
公開番号（公開出願番号）：特開2001-144056
出願日： 1999年11月17日
公開日（公表日）： 2001年05月25日
要約：

【要約】【課題】 ヘイズレベルの低いウェハを安定に得るための半導体結晶ウェハの研磨方法及びその方法で得られるウェハを提供する。【解決手段】 半導体ウェハの研磨には酸化性の強い研磨液を用いるため、研磨終了後、瞬時に研磨液の酸化力を停止する必要がある。従来のように希釈して酸化力を弱めていく方法では、瞬時に酸化反応を止めることは困難である。瞬時に酸化力を停止するには酸性水溶液で中和すればよい。但し、pHの低い酸性水溶液を用いると、研磨機内部を腐食させてしまう。またpHが5〜7では中和能力が低下するため、瞬時に研磨液の酸化力を低下させることができない。従ってpHは3〜5が最適である。このため研磨終了直後にpH3〜5の酸水溶液で半導体結晶ウェハを洗浄することにより、ヘイズレベルの低い半導体結晶ウェハが得られる。

請求項（抜粋）：

半導体結晶ウェハを研磨し、研磨終了直後にpH3〜5の酸水溶液で上記半導体結晶ウェハを洗浄することを特徴とする半導体結晶ウェハの研磨方法。

IPC (2件)：

H01L 21/304 622 ,  H01L 21/304 647

FI (2件)：

H01L 21/304 622 P ,  H01L 21/304 647 Z