特許
J-GLOBAL ID:200903072495204762

交流(Alternating current)粉末エレクトロルミネッセンス素子の製造方法及び素子構造

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 志賀 富士弥 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平9-132277
公開番号(公開出願番号):特開平10-069979
出願日: 1997年05月22日
公開日(公表日): 1998年03月10日
要約:
【要約】【課題】 製造が容易で明るい光を発することができるエレクトロルミネッセンス素子の構造及び製造方法を提供する。【解決手段】 プラスチック薄膜基板11を用いてEL素子を製造する方法であって、プラスチック薄膜基板11の上に銀またはアルミニウム蒸着された金属電極層10を形成する過程と、金属電極層10の上に誘電体薄膜層4を形成する過程と、誘電体薄膜層4にZnS等のII-VI族化合物半導体からなる発光体粉末粒子7をバインダー8と混合し発光層6を塗布する過程と、発光層6の上にスピンコーティング法またはスクリーン印刷法等の液相工程で透明電極1を形成する過程を含む。
請求項(抜粋):
プラスチック薄膜基板を用いてAC粉末EL素子を製造する方法であって、前記プラスチック薄膜基板の上に一方向に光を指向させるための高反射性の金属電極層を形成する過程と、前記金属電極層の上に誘電性物質粉末と誘電体バインダーを混合した誘電体薄膜層を形成する過程と、前記誘電体薄膜層上に粉末性の発光物質を、発光体バインダーと混合した発光層を塗布する過程と、前記発光層の上に透明導電性粉末と高導電性の透明バインダーを混合した透明電極層を形成する過程と、を含むことを特徴とする交流粉末EL素子の製造方法。
IPC (4件):
H05B 33/10 ,  H05B 33/14 ,  H05B 33/28 ,  H01B 13/00 503
FI (4件):
H05B 33/10 ,  H05B 33/14 ,  H05B 33/28 ,  H01B 13/00 503 C
引用特許:
審査官引用 (4件)
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