特許

J-GLOBAL ID：200903072496141497

酸化物セラミックス薄膜の製造方法

発明者： 青山 拓 ,  久野 忠昭 ,  宮下 悟
出願人/特許権者： セイコーエプソン株式会社
代理人 (1件)： 鈴木 喜三郎 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-097760
公開番号（公開出願番号）：特開平10-291885
出願日： 1997年04月15日
公開日（公表日）： 1998年11月04日
要約：

【要約】【課題】 酸化物セラミックス膜を作成する祭、酸素欠損が起きる。従来これを補償する方法として酸素雰囲気中での焼成や、結晶化後の酸素プラズマ後処理等があるがいずれも不完全で十分に酸素欠損を補えないことが課題であった。【解決手段】 基板上に非晶質膜を形成した後、これをオゾン処理してから結晶化させる。また、紫外線照射を大気中等で行い、紫外線処理とオゾン処理を同時に行うこととする。

請求項（抜粋）：

(1)基板上に非晶質状の前駆体膜を形成する工程と、(2)該前駆体膜をオゾン雰囲気中に曝す工程と、(3)これを結晶化させる工程とからなることを特徴とする酸化物セラミックス薄膜の製造方法。

IPC (6件)：

C30B 1/02 ,  C30B 29/32 ,  H01L 21/316 ,  H01L 37/02 ,  H01L 41/187 ,  H01L 41/24

FI (8件)：

C30B 1/02 ,  C30B 29/32 A ,  C30B 29/32 D ,  H01L 21/316 Y ,  H01L 37/02 ,  H01L 41/18 101 C ,  H01L 41/18 101 B ,  H01L 41/22 A