特許

J-GLOBAL ID：200903072497515056

ポリベンゾオキサゾール前駆体及びポリベンゾオキサゾール樹脂

発明者： 畑尾 卓也 ,  山地 貴志 ,  江口 敏正 ,  村山 三素
出願人/特許権者： 住友ベークライト株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-022748
公開番号（公開出願番号）：特開2000-219742
出願日： 1999年01月29日
公開日（公表日）： 2000年08月08日
要約：

【要約】【課題】 半導体用途に優れた熱特性、電気特性、低吸水性に優れた耐熱性樹脂を提供する。【解決手段】 一般式(1)で表される繰り返し単位を有するポリベンゾオキサゾール前駆体及びこのポリベンゾオキサゾール前駆体を脱水閉環した構造を有するポリベンゾオキサゾール樹脂。【化1】(式中、nは1〜1000までの整数を示す。R1、R2、R3及びR4はCmF2m+1で表されるフルオロアルキル基であり互いに同じであっても異なってもよい。mは1〜10までの整数を示す。R11およびR12はHまたはトリフルオロメチル基またはペンタフルオロエチル基であり、それぞれ同じであっても異なっても良い。Xは一般式(2)で表される2価の有機基であり、Yは単結合または2価以上の有機基を表す。)【化2】(式中、R5、R6、R7、R8、R9及びR10はFまたはフルオロアルキル基であり、それぞれ同じであっても異なっても良い。ZはOまたは単結合であり、iは1〜6の整数を、jは0〜6の整数を表す。)

請求項（抜粋）：

一般式(1)で表される繰り返し単位を有するポリベンゾオキサゾール前駆体。【化1】(式中、nは1〜1000までの整数を示す。R1、R2、R3及びR4はCmF2m+1で表されるフルオロアルキル基であり互いに同じであっても異なってもよい。mは1〜10までの整数を示す。R11およびR12はHまたはトリフルオロメチル基またはペンタフルオロエチル基であり、それぞれ同じであっても異なっても良い。Xは一般式(2)で表される2価の有機基であり、Yは単結合または2価以上の有機基を表す。)【化2】(式中、R5、R6、R7、R8、R9及びR10はFまたはフルオロアルキル基であり、それぞれ同じであっても異なっても良い。ZはOまたは単結合であり、iは1〜6の整数を、jは0〜6の整数を表す。)

IPC (5件)：

C08G 73/22 ,  C07C235/16 ,  C07C237/04 ,  C07C237/14 ,  C07C237/20

FI (5件)：

C08G 73/22 ,  C07C235/16 A ,  C07C237/04 A ,  C07C237/14 ,  C07C237/20

Fターム (31件)：

4H006AA01 ,  4H006AB84 ,  4H006BJ20 ,  4H006BJ50 ,  4H006BM10 ,  4H006BM71 ,  4H006BN30 ,  4H006BP10 ,  4H006BV25 ,  4J043PA02 ,  4J043QB15 ,  4J043QB33 ,  4J043QB34 ,  4J043RA52 ,  4J043SA06 ,  4J043SB01 ,  4J043TA12 ,  4J043TA48 ,  4J043TA49 ,  4J043TB01 ,  4J043UA041 ,  4J043UA042 ,  4J043UB062 ,  4J043UB072 ,  4J043VA051 ,  4J043XA04 ,  4J043XA13 ,  4J043XA16 ,  4J043YB34 ,  4J043YB50 ,  4J043ZB22