特許

J-GLOBAL ID：200903072498429617

ホトマスク、ホトマスクの製造方法、パタン形成方法、半導体装置の製造方法及びマスクパタン設計用の装置

発明者： 長谷川 昇雄 ,  早野 勝也 ,  寺澤 恒男 ,  茂庭 明美 ,  岡崎 信次
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 薄田 利幸
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-183673
公開番号（公開出願番号）：特開平9-034098
出願日： 1995年07月20日
公開日（公表日）： 1997年02月07日
要約：

【要約】【目的】不要な投影像の発生を防止し、不要なパタンの転写を防止することのできるホトマスクを提供すること。【構成】少なくとも露光光に対して半透明な領域と、透明な領域とからなり、半透明な領域と、透明な領域とを通過する光の位相差が実質的に180°であって、透明な領域よりなる主パタン4の所望の2つの辺34、35又はその延長線の交点のなす角が、半透明位相シフト部6で180度より小さい領域に、透明で、かつ、上記主パタン4と同位相の補助パタン5を配置したホトマスク。

請求項（抜粋）：

少なくとも露光光に対して半透明な領域と、透明な領域とを含み、上記半透明な領域と、上記透明な領域とを通過する光の位相差が実質的に180°であるホトマスクにおいて、上記透明な領域よりなる主パタンの所望の2辺又はその延長線の交点のなす角が、半透明部で180度より小さい領域に、透明で、かつ、上記主パタンと同位相の補助パタンが配置されたことを特徴とするホトマスク。

IPC (3件)：

G03F 1/08 ,  G03F 7/20 521 ,  H01L 21/027

FI (5件)：

G03F 1/08 A ,  G03F 1/08 D ,  G03F 7/20 521 ,  H01L 21/30 502 P ,  H01L 21/30 528