特許
J-GLOBAL ID:200903072512071020

半導体記憶装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 特許業務法人池内・佐藤アンドパートナーズ
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2001-229072
公開番号(公開出願番号):特開2003-045185
出願日: 2001年07月30日
公開日(公表日): 2003年02月14日
要約:
【要約】【課題】 不揮発性メモリを用いずに、電源遮断後も遮断前の状態をある期間保持でき、リーク電流を削減し消費電力を低減した半導体記憶装置を提供する。【解決手段】 電源遮断前に、第1の制御入力端子7の制御電圧によりスイッチ5をオン、スイッチ6をオフにする。次に、第2の制御入力端子13の制御電圧によりスイッチ9、10をオンにして第1のキャパシタ8が帰還ループの状態を記憶すると同時に、第2のキャパシタ12が充電される。電源遮断後に、キャパシタ8、12の放電前に電源を再投入すると、第1のキャパシタ8によって帰還ループの状態が電源遮断前の状態になる。この時、第2のキャパシタ12によってスイッチ11がオフになり、データ入力端子3からの入力データが遮断される。次に、第2の制御入力端子13によりスイッチ9、10をオフ、スイッチ11をオンにする。
請求項(抜粋):
2つのインバータで構成される帰還ループと、データ入力端子と、データ出力端子と、前記データ入力端子からの入力データを前記帰還ループに取り込むための第1のスイッチと、前記第1のスイッチの制御端子に接続された第1の制御入力端子と、電源遮断時に前記帰還ループの状態を記憶する第1のキャパシタと、前記帰還ループを構成する2つのインバータの入力端子または出力端子と前記第1のキャパシタとの接続を導通または遮断状態にする第2のスイッチと、前記データ入力端子からの入力データを導通または遮断する第3のスイッチと、前記第2および第3のスイッチの制御端子に接続され、電源遮断前に、前記帰還ループの状態を保持するため、前記第2のスイッチを導通状態にし、前記第3のスイッチを遮断状態にする制御電圧が印加される第2の制御入力端子と、一方の端子が接地され、他方の端子が前記第2の制御入力端子に接続され、電源遮断前に充電された電圧レベルにより、電源遮断後に、前記第2のスイッチの導通状態および前記第3のスイッチの遮断状態を保持し、電源再投入時に、前記データ入力端子からの入力データを遮断して、電源遮断前の前記帰還ループの状態を安定に復帰させるための第2のキャパシタとを備えたことを特徴とする半導体記憶装置。
IPC (2件):
G11C 11/41 ,  H03K 17/00
FI (2件):
H03K 17/00 D ,  G11C 11/40 Z
Fターム (16件):
5B015HH00 ,  5B015JJ00 ,  5B015JJ05 ,  5B015KA13 ,  5B015QQ11 ,  5J055AX12 ,  5J055AX55 ,  5J055AX56 ,  5J055BX17 ,  5J055CX27 ,  5J055EY10 ,  5J055FX07 ,  5J055FX18 ,  5J055FX31 ,  5J055GX01 ,  5J055GX02

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